FC119 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC119
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SO6
Búsqueda de reemplazo de FC119
FC119 Datasheet (PDF)
fc119.pdf

Ordering number:EN3061AFC119NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmCP package currently in use, improving the mount-2068ing efficiency greatly.[FC119] The FC119 is formed with two chips, being equiva-lent to the 2SC
Otros transistores... FC109 , FC110 , FC111 , FC112 , FC113 , FC114 , FC115 , FC116 , S9014 , FC120 , FC156 , FC157 , FCS6208 , FCS6209 , FCS9010 , FCS9011D , FCS9011E .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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