Биполярный транзистор FC119 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FC119
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SO6
FC119 Datasheet (PDF)
fc119.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering number:EN3061AFC119NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmCP package currently in use, improving the mount-2068ing efficiency greatly.[FC119] The FC119 is formed with two chips, being equiva-lent to the 2SC
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .