FC119. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC119

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SO6

 Аналоги (замена) для FC119

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC119 даташит

 ..1. Size:166K  sanyo
 fc119.pdf pdf_icon

FC119

Ordering number EN3061A FC119 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2068 ing efficiency greatly. [FC119] The FC119 is formed with two chips, being equiva- lent to the 2SC

Другие транзисторы: FC109, FC110, FC111, FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, 2SC2073, FC120, FC156, FC157, FCS6208, FCS6209, FCS9010, FCS9011D, FCS9011E