FC120 Todos los transistores

 

FC120 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC120
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 750 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SO6
 

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FC120 Datasheet (PDF)

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FC120

Ordering number:EN3062AFC120NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmCP package currently in use, improving the mount-2068ing efficiency greatly.[FC120] The FC120 is formed with two chips, being equiva-lent

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History: DSC8102 | CFD1264Q | 2SC2335R | 2N3752 | 2SC5514 | KST2484 | D26P2

 

 
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