FC120 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FC120

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 750 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SO6

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FC120 datasheet

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FC120

Ordering number EN3062A FC120 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2068 ing efficiency greatly. [FC120] The FC120 is formed with two chips, being equiva- lent

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