FC120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC120

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SO6

 Аналоги (замена) для FC120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC120 даташит

 ..1. Size:201K  sanyo
 fc120.pdf pdf_icon

FC120

Ordering number EN3062A FC120 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2068 ing efficiency greatly. [FC120] The FC120 is formed with two chips, being equiva- lent

Другие транзисторы: FC110, FC111, FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, S9014, FC156, FC157, FCS6208, FCS6209, FCS9010, FCS9011D, FCS9011E, FCS9011F