Биполярный транзистор FC120 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FC120
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SO6
FC120 Datasheet (PDF)
..1. Size:201K sanyo
fc120.pdf
fc120.pdf
Ordering number:EN3062AFC120NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in theunit:mmCP package currently in use, improving the mount-2068ing efficiency greatly.[FC120] The FC120 is formed with two chips, being equiva-lent
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
