FC156 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FC156

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 7000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SO6

 Búsqueda de reemplazo de FC156

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FC156 datasheet

 ..1. Size:183K  sanyo
 fc156.pdf pdf_icon

FC156

Ordering number EN5432 FC156 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the CP unit mm package currently in use, improving the mounting 2104A efficiency greatly. [FC156] The FC156 is formed with two chips, being equiva- lent to the 2SC

 0.1. Size:1101K  alfa-mos
 afc1563.pdf pdf_icon

FC156

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=

Otros transistores... FC111, FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, FC120, BC327, FC157, FCS6208, FCS6209, FCS9010, FCS9011D, FCS9011E, FCS9011F, FCS9011G