FC156 Todos los transistores

 

FC156 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC156
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 7000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SO6
 

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FC156 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  sanyo
 fc156.pdf pdf_icon

FC156

Ordering number:EN5432FC156NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency Low-Noise Amp,Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the CPunit:mmpackage currently in use, improving the mounting2104Aefficiency greatly.[FC156] The FC156 is formed with two chips, being equiva-lent to the 2SC

 0.1. Size:1101K  alfa-mos
 afc1563.pdf pdf_icon

FC156

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

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History: NSBC114YPDXV6T5G

 

 
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