FC156. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC156

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SO6

 Аналоги (замена) для FC156

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC156 даташит

 ..1. Size:183K  sanyo
 fc156.pdf pdf_icon

FC156

Ordering number EN5432 FC156 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the CP unit mm package currently in use, improving the mounting 2104A efficiency greatly. [FC156] The FC156 is formed with two chips, being equiva- lent to the 2SC

 0.1. Size:1101K  alfa-mos
 afc1563.pdf pdf_icon

FC156

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=

Другие транзисторы: FC111, FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, FC120, BC327, FC157, FCS6208, FCS6209, FCS9010, FCS9011D, FCS9011E, FCS9011F, FCS9011G