Справочник транзисторов. FC156

 

Биполярный транзистор FC156 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FC156
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SO6
 

 Аналог (замена) для FC156

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC156 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  sanyo
 fc156.pdf pdf_icon

FC156

Ordering number:EN5432FC156NPN Epitaxial Planar Silicon Composite TransistorHigh-Frequency Low-Noise Amp,Differential Amp ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the CPunit:mmpackage currently in use, improving the mounting2104Aefficiency greatly.[FC156] The FC156 is formed with two chips, being equiva-lent to the 2SC

 0.1. Size:1101K  alfa-mos
 afc1563.pdf pdf_icon

FC156

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

Другие транзисторы... FC111 , FC112 , FC113 , FC114 , FC115 , FC116 , FC119 , FC120 , BC327 , FC157 , FCS6208 , FCS6209 , FCS9010 , FCS9011D , FCS9011E , FCS9011F , FCS9011G .

History: DRA5123J | KSD13003ER | 2SC2704 | UN121L | 2SC2089 | 2SC2460A | CV7366A

 

 
Back to Top

 


 
.