2N3636S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3636S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 175 V

Tensión colector-emisor (Vce): 175 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N3636S datasheet

 8.1. Size:219K  bocasemi
 2n3634 2n3635 2n3636 2n3637.pdf pdf_icon

2N3636S

Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com

 8.2. Size:227K  microsemi
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2N3636S

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637 JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637L JANSP 30K Rads (Si)

 8.3. Size:227K  microsemi
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2N3636S

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637 JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637L JANSP 30K Rads (Si)

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