FCX5550 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCX5550
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: SOT89
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FCX5550 datasheet
fcx555.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated FCX555 Maximum Ratings (@TA = +25 C, unless otherwise specified.) Characteristic Symbol Limit Unit Collector-Base Voltage VCBO -180 V Collector-Emitter Voltage VCEV -180 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V Continuous Collector Current IC -0.7 A Peak Pulse Current ICM -2 A Thermal Characteristics (@
fcx558.pdf
FCX558 400V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -400V Case SOT89 IC = -200mA High Continuous Current Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM = -500mA Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics up to -100mA Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020
Otros transistores... FCS9022 , FCX2369 , FCX2369A , FCX458 , FCX491 , FCX491A , FCX495 , FCX5401 , BD136 , FCX558 , FCX589 , FCX591 , FCX591A , FCX596 , FCX604 , FCX649 , FCX653 .
History: F122
History: F122
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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