FCX5550 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCX5550
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FCX5550
FCX5550 Datasheet (PDF)
fcx555.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated FCX555 Maximum Ratings (@TA = +25C, unless otherwise specified.) Characteristic Symbol Limit Unit Collector-Base Voltage VCBO -180 V Collector-Emitter Voltage VCEV -180 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V Continuous Collector Current IC -0.7 A Peak Pulse Current ICM -2 A Thermal Characteristics (@
fcx558.pdf
FCX558 400V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -400V Case: SOT89 IC = -200mA High Continuous Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM = -500mA Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics up to -100mA Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
