Биполярный транзистор FCX5550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FCX5550
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT89
FCX5550 Datasheet (PDF)
fcx555.pdf
A Product Line of Diodes Incorporated FCX555 Maximum Ratings (@TA = +25C, unless otherwise specified.) Characteristic Symbol Limit Unit Collector-Base Voltage VCBO -180 V Collector-Emitter Voltage VCEV -180 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -7 V Continuous Collector Current IC -0.7 A Peak Pulse Current ICM -2 A Thermal Characteristics (@
fcx558.pdf
FCX558 400V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -400V Case: SOT89 IC = -200mA High Continuous Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM = -500mA Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics up to -100mA Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
