FMW4 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMW4
Código: S4_W4
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 180
Encapsulados: SC74A
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FMW4 datasheet
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http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMW47N60S1HF FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-247-P2 Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS Server Gate(G) Telecom Source(S)
fmw3-fmw4.pdf
FMW3/FMW4 Dual Transistor SOT-23-5L Features High breakdown voltage 2 .8 20 Dimensions in millimeters 3. 020 0 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0 .3 00 8 0. 500 Symbol Parameter Value Units 0 .3 00 VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0. 600 2. 650 2 .950 1 .5 00 VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V 1. 700 VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle
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History: 2SD1083
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