Биполярный транзистор FMW4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMW4
Маркировка: S4_W4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SC74A
FMW4 Datasheet (PDF)
fms4 fmw4 s4 sot23-5.pdf
FMS3 / FMS4 / IMT4TransistorsTransistorsFMW3 / FMW4 / IMX8(94S-389-A41)(94S-398-C41)578
fmw47n60s1hf.pdf
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMW47N60S1HF FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-247-P2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)Telecom Source(S)
fmw3-fmw4.pdf
FMW3/FMW4 Dual TransistorSOT-23-5LFeatures High breakdown voltage 2 .8 20Dimensions in millimeters3. 020 0MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0 .3 0080. 500Symbol Parameter Value Units0 .3 00VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0. 6002. 6502 .950 1 .5 00VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V 1. 700VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle
fmw47n60s1hf.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMW47N60S1HFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050