FMW4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMW4

Маркировка: S4_W4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SC74A

 Аналоги (замена) для FMW4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMW4 даташит

 ..1. Size:39K  rohm
 fms4 fmw4 s4 sot23-5.pdf pdf_icon

FMW4

FMS3 / FMS4 / IMT4 Transistors Transistors FMW3 / FMW4 / IMX8 (94S-389-A41) (94S-398-C41) 578

 0.1. Size:579K  fuji
 fmw47n60s1hf.pdf pdf_icon

FMW4

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMW47N60S1HF FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-247-P2 Low switching loss easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applications UPS Server Gate(G) Telecom Source(S)

 0.2. Size:185K  lge
 fmw3-fmw4.pdf pdf_icon

FMW4

FMW3/FMW4 Dual Transistor SOT-23-5L Features High breakdown voltage 2 .8 20 Dimensions in millimeters 3. 020 0 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0 .3 00 8 0. 500 Symbol Parameter Value Units 0 .3 00 VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0. 600 2. 650 2 .950 1 .5 00 VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V 1. 700 VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle

 0.3. Size:213K  inchange semiconductor
 fmw47n60s1hf.pdf pdf_icon

FMW4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FMS1A, FMS2A, FMS3, FMS4, FMW1, FMW10, FMW2, FMW3, 2SC2655, FMW6, FMW7, FMW8, FMY1A, FMY3A, FMY4A, FMY5, FMY6