FT45 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FT45

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 425 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO72

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FT45 datasheet

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FT45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFT45 PNP high-voltage transistor 1997 Apr 18 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor BFT45 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 base APPL

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