FT45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FT45

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 425 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для FT45

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FT45 даташит

 0.1. Size:52K  philips
 bft45 cnv 2.pdf pdf_icon

FT45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFT45 PNP high-voltage transistor 1997 Apr 18 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistor BFT45 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitter 2 base APPL

Другие транзисторы: FT417A, FT417B, FT423, FT430, FT431, FT4354, FT4355, FT4356, D880, FT47, FT48, FT49, FT50, FT5040, FT5041, FT5415, FT5722R