FX4207 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FX4207

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 6 V

Tensión colector-emisor (Vce): 6 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO18

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FX4207 datasheet

 9.1. Size:181K  ixys
 ixfk420n10t ixfx420n10t.pdf pdf_icon

FX4207

Advance Technical Information GigaMOSTM Trench VDSS = 100V IXFK420N10T HiperFETTM ID25 = 420A IXFX420N10T RDS(on) 2.6m Power MOSFET trr 140ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V TAB D S VDGR TJ = 25 C

 9.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ixfx420n10t.pdf pdf_icon

FX4207

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFX420N10T FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V G

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