FX4207 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FX4207
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 6 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FX4207
FX4207 Datasheet (PDF)
ixfk420n10t ixfx420n10t.pdf
Advance Technical InformationGigaMOSTM Trench VDSS = 100VIXFK420N10THiperFETTM ID25 = 420AIXFX420N10T RDS(on) 2.6m Power MOSFETtrr 140nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 100 V TABDSVDGR TJ = 25C
ixfx420n10t.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IXFX420N10TFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV G
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050