FX4207. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FX4207

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для FX4207

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FX4207 даташит

 9.1. Size:181K  ixys
 ixfk420n10t ixfx420n10t.pdf pdf_icon

FX4207

Advance Technical Information GigaMOSTM Trench VDSS = 100V IXFK420N10T HiperFETTM ID25 = 420A IXFX420N10T RDS(on) 2.6m Power MOSFET trr 140ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V TAB D S VDGR TJ = 25 C

 9.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ixfx420n10t.pdf pdf_icon

FX4207

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFX420N10T FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V G

Другие транзисторы: FX3724, FX3725, FX3962, FX3963, FX3964, FX3965, FX4046, FX4047, TIP42C, FX4960, FX4964, FX4965, FX5127, FX5128, FX5129, FX5130, FX5131