GC101 Todos los transistores

 

GC101 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GC101
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 18
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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GC101 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:219K  infineon
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GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features: This chip is used for: 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Paramete

 0.2. Size:126K  infineon
 sigc101t170r3.pdf pdf_icon

GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features: This chip is used for: 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives easy parallelingG E Chip Type VCE IC Die Size PackageSIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters

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History: TTC5460B

 

 
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