GC101 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GC101

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 18

Encapsulados: TO1

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GC101 datasheet

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GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features This chip is used for 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Paramete

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GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features This chip is used for 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters

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