GC101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GC101

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 18

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для GC101

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC101 даташит

 0.1. Size:219K  infineon
 sigc101t170r3e.pdf pdf_icon

GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features This chip is used for 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Paramete

 0.2. Size:126K  infineon
 sigc101t170r3.pdf pdf_icon

GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features This chip is used for 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters

Другие транзисторы: GBD179, GBD189, GBD190, GBD266, GBD267, GBD645, GBD646, GC100, 13007, GC102, GC103, GC104, GC111, GC112, GC115, GC116, GC117