Справочник транзисторов. GC101

 

Биполярный транзистор GC101 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GC101
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
   Корпус транзистора: TO1
 

 Аналог (замена) для GC101

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC101 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:219K  infineon
 sigc101t170r3e.pdf pdf_icon

GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features: This chip is used for: 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives easy paralleling G E Chip Type VCE IC Die Size Package SIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Paramete

 0.2. Size:126K  infineon
 sigc101t170r3.pdf pdf_icon

GC101

SIGC101T170R3E IGBT3 Power Chip Features: This chip is used for: 1700V Trench & Field Stop technology power modules C low turn-off losses short tail current Applications: positive temperature coefficient drives easy parallelingG E Chip Type VCE IC Die Size PackageSIGC101T170R3E 1700V 75A 10.03 x 10.03 mm2 sawn on foil Mechanical Parameters

Другие транзисторы... GBD179 , GBD189 , GBD190 , GBD266 , GBD267 , GBD645 , GBD646 , GC100 , 2N3906 , GC102 , GC103 , GC104 , GC111 , GC112 , GC115 , GC116 , GC117 .

History: FTD1499 | CJD3055 | BCP5416 | SDM5011 | 2SB342

 

 
Back to Top

 


 
.