GC189 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GC189
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GC189
GC189 Datasheet (PDF)
igc189t120t6rl.pdf
IGC189T120T6RL IGBT4 Low Power Chip Features: 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for:C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications: G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC189T120T6RL 1200V 200A 13.62 x 13.87 mm2 sawn on foil MECH
igc189t120t8rl.pdf
IGC189T120T8RLIGBT4 Low Power ChipFeatures: Recommended for: 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficientApplications: easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for targetGapplications EChip Type VCE ICn1 ) Die Size PackageIGC189T120T8RL 1200V
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