GC189 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GC189

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: TO92

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GC189 datasheet

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GC189

IGC189T120T6RL IGBT4 Low Power Chip Features 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC189T120T6RL 1200V 200A 13.62 x 13.87 mm2 sawn on foil MECH

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GC189

IGC189T120T8RL IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC189T120T8RL 1200V

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