GC189 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GC189

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GC189

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC189 даташит

 0.1. Size:82K  infineon
 igc189t120t6rl.pdf pdf_icon

GC189

IGC189T120T6RL IGBT4 Low Power Chip Features 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC189T120T6RL 1200V 200A 13.62 x 13.87 mm2 sawn on foil MECH

 0.2. Size:70K  infineon
 igc189t120t8rl.pdf pdf_icon

GC189

IGC189T120T8RL IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC189T120T8RL 1200V

Другие транзисторы: GC117, GC118, GC120, GC121, GC122, GC123, GC181, GC181A, BC327, GC195, GC197, GC198, GC214, GC216, GC217, GC221, GC223