GC223B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GC223B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO92

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GC223B datasheet

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GC223B

SIGC223T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES This chip is used for C 1200V NPT technology 175 m chip low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications easy paralleling G drives, SMPS, resonant E integrated gate resistor applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering

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GC223B

SIGC223T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology C FEATURES This chip is used for 1200V NPT technology IGBT-Modules 180 m chip BSM150GB120DLC short circuit prove positive temperature coefficient G Applications easy paralleling E drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67050-A4286- SIGC223T120R2CL 1200V 150A 14.4 x 15.5 mm2

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