GC223B Todos los transistores

 

GC223B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GC223B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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GC223B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  infineon
 sigc223t120r2cs.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 1200V NPT technology 175m chip low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives, SMPS, resonant E integrated gate resistor applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering

 9.2. Size:120K  infineon
 sigc223t120r2cl.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology CFEATURES: This chip is used for: 1200V NPT technology IGBT-Modules 180m chipBSM150GB120DLC short circuit prove positive temperature coefficient GApplications: easy parallelingE drivesChip Type VCE ICn Die Size Package Ordering CodeQ67050-A4286-SIGC223T120R2CL 1200V 150A 14.4 x 15.5 mm2

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History: KT639V1 | 2SC4516 | BD546D

 

 
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