Справочник транзисторов. GC223B

 

Биполярный транзистор GC223B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GC223B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для GC223B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC223B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  infineon
 sigc223t120r2cs.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 1200V NPT technology 175m chip low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives, SMPS, resonant E integrated gate resistor applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering

 9.2. Size:120K  infineon
 sigc223t120r2cl.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology CFEATURES: This chip is used for: 1200V NPT technology IGBT-Modules 180m chipBSM150GB120DLC short circuit prove positive temperature coefficient GApplications: easy parallelingE drivesChip Type VCE ICn Die Size Package Ordering CodeQ67050-A4286-SIGC223T120R2CL 1200V 150A 14.4 x 15.5 mm2

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GA4A4P | HA3669 | 2SAB34 | 8550B | 2N1763 | BF179

 

 
Back to Top

 


 
.