GC223B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GC223B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для GC223B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC223B даташит

 9.1. Size:63K  infineon
 sigc223t120r2cs.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES This chip is used for C 1200V NPT technology 175 m chip low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications easy paralleling G drives, SMPS, resonant E integrated gate resistor applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering

 9.2. Size:120K  infineon
 sigc223t120r2cl.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology C FEATURES This chip is used for 1200V NPT technology IGBT-Modules 180 m chip BSM150GB120DLC short circuit prove positive temperature coefficient G Applications easy paralleling E drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67050-A4286- SIGC223T120R2CL 1200V 150A 14.4 x 15.5 mm2

Другие транзисторы: GC197, GC198, GC214, GC216, GC217, GC221, GC223, GC223A, BC546, GC237, GC238, GC239, GC269, GC300, GC300A, GC300B, GC300C