Справочник транзисторов. GC223B

 

Биполярный транзистор GC223B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GC223B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для GC223B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GC223B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  infineon
 sigc223t120r2cs.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CS IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: This chip is used for: C 1200V NPT technology 175m chip low turn-off losses IGBT Modules short tail current positive temperature coefficient Applications: easy paralleling G drives, SMPS, resonant E integrated gate resistor applications Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering

 9.2. Size:120K  infineon
 sigc223t120r2cl.pdf pdf_icon

GC223B

SIGC223T120R2CL IGBT Chip in NPT-technology CFEATURES: This chip is used for: 1200V NPT technology IGBT-Modules 180m chipBSM150GB120DLC short circuit prove positive temperature coefficient GApplications: easy parallelingE drivesChip Type VCE ICn Die Size Package Ordering CodeQ67050-A4286-SIGC223T120R2CL 1200V 150A 14.4 x 15.5 mm2

Другие транзисторы... GC197 , GC198 , GC214 , GC216 , GC217 , GC221 , GC223 , GC223A , 8050 , GC237 , GC238 , GC239 , GC269 , GC300 , GC300A , GC300B , GC300C .

History: SE2002 | 2SA956H6 | MPQ3645 | NST3906DXV6T1

 

 
Back to Top

 


 
.