GD130 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GD130
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 66 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GD130
GD130 Datasheet (PDF)
pmgd130un.pdf
PMGD130UN20 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf
HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous
Otros transistores... GCN55 , GCN56 , GD100 , GD110 , GD114 , GD115 , GD120 , GD125 , 2N5551 , GD133 , GD134 , GD135 , GD142 , GD150 , GD151 , GD152 , GD160 .
