GD130 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GD130

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 66 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3

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GD130 datasheet

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PMGD130UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

0.2. Size:1206K cn hunteck
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf pdf_icon

HGI130N12SL HGD130N12SL , P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous

Otros transistores... GCN55, GCN56, GD100, GD110, GD114, GD115, GD120, GD125, BD139, GD133, GD134, GD135, GD142, GD150, GD151, GD152, GD160

GD130 Datasheet. Equivalente