GD130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD130  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 66 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD130 даташит

 0.1. Size:883K  nxp
 pmgd130un.pdf pdf_icon

GD130

PMGD130UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 0.2. Size:1206K  cn hunteck
 hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf pdf_icon

GD130

HGI130N12SL HGD130N12SL , P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous

Другие транзисторы: GCN55, GCN56, GD100, GD110, GD114, GD115, GD120, GD125, BD139, GD133, GD134, GD135, GD142, GD150, GD151, GD152, GD160