GD130 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

GD130 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GD130
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 66 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD130

 

GD130 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:883K  nxp
 pmgd130un.pdf pdf_icon

GD130

PMGD130UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 1 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fast

 0.2. Size:1206K  cn hunteck
 hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf pdf_icon

GD130

HGI130N12SL HGD130N12SL , P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous

Другие транзисторы... GCN55 , GCN56 , GD100 , GD110 , GD114 , GD115 , GD120 , GD125 , BD139 , GD133 , GD134 , GD135 , GD142 , GD150 , GD151 , GD152 , GD160 .

History: TR-8R35 | KT805IM

 

 
Back to Top

 


 
.