GD175A Todos los transistores

 

GD175A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD175A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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GD175A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:888K  nxp
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GD175A

PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications

 9.2. Size:327K  gdr
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GD175A

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History: NST3946DXV6T5G | 3DG817 | OC815 | 2SD2498 | 2N4012 | IMD2A | BSX30

 

 
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