Справочник транзисторов. GD175A

 

Биполярный транзистор GD175A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GD175A
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для GD175A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD175A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:888K  nxp
 pmgd175xn.pdf pdf_icon

GD175A

PMGD175XN30 V, dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology1.3 Applications

 9.2. Size:327K  gdr
 gd160 gd170 gd175 gd180 gd240 gd241 gd242 gd243 gd244.pdf pdf_icon

GD175A

Другие транзисторы... GD160A , GD160B , GD160C , GD170 , GD170A , GD170B , GD170C , GD175 , 2SD718 , GD175B , GD175C , GD180 , GD180A , GD180B , GD180C , GD183 , GD190 .

 

 
Back to Top

 


 
.