GD190 Todos los transistores

 

GD190 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD190
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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GD190 Datasheet (PDF)

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GD190

HGD190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

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History: ETP5092 | 2SC3356S-C | 2SB764E | BSV10-6 | 2N4261UB

 

 
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