GD190 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD190

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD190

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD190 даташит

 0.1. Size:827K  cn hunteck
 hgd190n15sl.pdf pdf_icon

GD190

HGD190N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature 16.0 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 69 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

Другие транзисторы: GD175A, GD175B, GD175C, GD180, GD180A, GD180B, GD180C, GD183, TIP31C, GD191, GD192, GD200, GD203, GD207, GD210, GD220, GD240