Справочник транзисторов. GD190

 

Биполярный транзистор GD190 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GD190
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для GD190

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD190 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:827K  cn hunteck
 hgd190n15sl.pdf pdf_icon

GD190

HGD190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

Другие транзисторы... GD175A , GD175B , GD175C , GD180 , GD180A , GD180B , GD180C , GD183 , 100DA025D , GD191 , GD192 , GD200 , GD203 , GD207 , GD210 , GD220 , GD240 .

History: RT5N136C | 2SA1302R | 2SC1237

 

 
Back to Top

 


 
.