GF135 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GF135

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO72

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GF135 datasheet

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GF135

Product Data Sheet February 1, 2002 Discrete MESFET TGF1350-SCC Key Features and Performance 0.5 um x 300 um FET 1.5 dB Noise Figure with 11dB Associated Gain at 10 GHz 2.5 dB Noise Figure with 7 dB Associated Gain at 18 GHz All-Gold Metallization for High Reliability Recessed Gate Structure 0.620 x 0.514 x 0.102 mm (0.024 x 0.020 x 0.004 in.) Description T

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