GF135 Todos los transistores

 

GF135 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GF135
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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GF135 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:115K  triquint
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GF135

Product Data SheetFebruary 1, 2002Discrete MESFET TGF1350-SCCKey Features and Performance 0.5 um x 300 um FET 1.5 dB Noise Figure with 11dB AssociatedGain at 10 GHz 2.5 dB Noise Figure with 7 dB AssociatedGain at 18 GHz All-Gold Metallization for High Reliability Recessed Gate Structure 0.620 x 0.514 x 0.102 mm (0.024 x 0.020 x0.004 in.)DescriptionT

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History: BCW68RH | BU941ZP3 | DC5501 | 2SC2785JF | 2SC810 | DTC110 | FPN660A

 

 
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