GF135. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GF135

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для GF135

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GF135 даташит

 0.1. Size:115K  triquint
 tgf1350-scc.pdf pdf_icon

GF135

Product Data Sheet February 1, 2002 Discrete MESFET TGF1350-SCC Key Features and Performance 0.5 um x 300 um FET 1.5 dB Noise Figure with 11dB Associated Gain at 10 GHz 2.5 dB Noise Figure with 7 dB Associated Gain at 18 GHz All-Gold Metallization for High Reliability Recessed Gate Structure 0.620 x 0.514 x 0.102 mm (0.024 x 0.020 x 0.004 in.) Description T

Другие транзисторы: GF126, GF127, GF128, GF129, GF130, GF131, GF132, GF133, 9014, GF136, GF137, GF138, GF139, GF140, GF141, GF142, GF143