GS110 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GS110

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.083 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO39

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GS110 datasheet

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GS110

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GS110

HGS110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 Gat

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