GS110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GS110
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.083 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GS110
GS110 Datasheet (PDF)
hgs110n08al.pdf
HGS110N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
hgs110n08a.pdf
HGS110N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8Gat
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