GS110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GS110

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.083 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для GS110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GS110 даташит

 0.1. Size:908K  cn hunteck
 hgs110n08al.pdf pdf_icon

GS110

 0.2. Size:903K  cn hunteck
 hgs110n08a.pdf pdf_icon

GS110

HGS110N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 Gat

Другие транзисторы: GP140, GP145, GS100B, GS100C, GS100D, GS109B, GS109C, GS109D, 2SC5200, GS111B, GS111C, GS111D, GS111E, GS112B, GS112C, GS112D, GS112E