GS2012 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GS2012
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO202
Búsqueda de reemplazo de GS2012
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
GS2012 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... GS112B, GS112C, GS112D, GS112E, GS121B, GS121C, GS121D, GS122, BC337, GS2013, GS2014, GS2017, GS2017A, GS2052, GS8050T, GS8550T, GS9010
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent
