GS2012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GS2012

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для GS2012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GS2012 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GS112B, GS112C, GS112D, GS112E, GS121B, GS121C, GS121D, GS122, BC337, GS2013, GS2014, GS2017, GS2017A, GS2052, GS8050T, GS8550T, GS9010