Биполярный транзистор GS2012 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: GS2012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам