GSRU10035 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSRU10035

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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GSRU10035 datasheet

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GSRU10035

isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 10(MIN)@I = 15A FE C Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power Supplies Switching Amplifiers Inverters/Converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas

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