Биполярный транзистор GSRU10035 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GSRU10035
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для GSRU10035
GSRU10035 Datasheet (PDF)
gsru15040.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 10(MIN)@I = 15AFE CLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower SuppliesSwitching AmplifiersInverters/ConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050