GSRU10035 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

GSRU10035 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSRU10035
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для GSRU10035

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSRU10035 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
 gsru15040.pdf pdf_icon

GSRU10035

isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 10(MIN)@I = 15AFE CLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower SuppliesSwitching AmplifiersInverters/ConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas

Другие транзисторы... GSH9012F , GSH9032 , GSH9032D , GSH9032E , GSH9033 , GSH9033D , GSH9033E , GSRU10030 , S9018 , GSRU10040 , GSRU15030 , GSRU15030A , GSRU15035 , GSRU15035A , GSRU15040 , GSRU15040A , GSRU20030 .

 

 
Back to Top

 


 
.