Справочник транзисторов. GSRU10035

 

Биполярный транзистор GSRU10035 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GSRU10035
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для GSRU10035

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSRU10035 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
 gsru15040.pdf pdf_icon

GSRU10035

isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 10(MIN)@I = 15AFE CLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower SuppliesSwitching AmplifiersInverters/ConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Bas

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: GT400-9E | 2SB1216Q | PTB20167 | 2SB1260-R | PZT32C | Q-15115C | GT115B

 

 
Back to Top

 


 
.