GSRU10035. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSRU10035

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GSRU10035

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSRU10035 даташит

 9.1. Size:209K  inchange semiconductor
 gsru15040.pdf pdf_icon

GSRU10035

isc Silicon NPN Power Transistor GSRU15040 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 10(MIN)@I = 15A FE C Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power Supplies Switching Amplifiers Inverters/Converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Bas

Другие транзисторы: GSH9012F, GSH9032, GSH9032D, GSH9032E, GSH9033, GSH9033D, GSH9033E, GSRU10030, D667, GSRU10040, GSRU15030, GSRU15030A, GSRU15035, GSRU15035A, GSRU15040, GSRU15040A, GSRU20030