GT125V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT125V
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 71
- Selección de transistores por parámetros
GT125V Datasheet (PDF)
gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2N3763S | CZTA77 | 2SC354
History: 2N3763S | CZTA77 | 2SC354



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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