GT125V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT125V
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 71

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GT125V

GT125V Datasheet (PDF)

9.1. Size:414K russia
gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf

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gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC3857 | 2N1384 | 2SD301F | KF517 | KD617 | 2SB726 | SFT146

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050