Справочник транзисторов. GT125V

 

Биполярный транзистор GT125V - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: GT125V
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 71

 Аналоги (замена) для GT125V

 

 

GT125V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:414K  russia
 gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf

GT125V

 9.2. Size:3940K  goford
 gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf

GT125V GT125V

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top