GT806D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT806D
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
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GT806D Datasheet (PDF)
Otros transistores... GT8003 , GT8004 , GT8005 , GT804A , GT804B , GT804V , GT806A , GT806B , TIP35C , GT806G , GT806V , GT81 , GT8100 , GT8101 , GT8102 , GT8103 , GT810A .
History: BFR44 | BTA1579S3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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