GT806D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT806D  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GT806D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT806D даташит

 9.1. Size:1162K  russia
 gt806a-b-v-g-d 1t806a-b-v.pdf pdf_icon

GT806D

Другие транзисторы: GT8003, GT8004, GT8005, GT804A, GT804B, GT804V, GT806A, GT806B, BD335, GT806G, GT806V, GT81, GT8100, GT8101, GT8102, GT8103, GT810A