Справочник транзисторов. GT806D

 

Биполярный транзистор GT806D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT806D
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
 

 Аналог (замена) для GT806D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT806D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1162K  russia
 gt806a-b-v-g-d 1t806a-b-v.pdf pdf_icon

GT806D

Другие транзисторы... GT8003 , GT8004 , GT8005 , GT804A , GT804B , GT804V , GT806A , GT806B , TIP35C , GT806G , GT806V , GT81 , GT8100 , GT8101 , GT8102 , GT8103 , GT810A .

History: BFP840FESD

 

 
Back to Top

 


 
.