GT813B Todos los transistores

 

GT813B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT813B

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-emisor (Vce): 125 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

 Búsqueda de reemplazo de GT813B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GT813B datasheet

NO DATA!

Otros transistores... GT8100 , GT8101 , GT8102 , GT8103 , GT810A , GT811 , GT812 , GT813A , 2SD2499 , GT813V , GT81H , GT81HS , GT82 , GT83 , GT87 , GT88 , GT901A .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g

 

 

↑ Back to Top
.