Биполярный транзистор GT813B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GT813B
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
GT813B Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... GT8100 , GT8101 , GT8102 , GT8103 , GT810A , GT811 , GT812 , GT813A , C3198 , GT813V , GT81H , GT81HS , GT82 , GT83 , GT87 , GT88 , GT901A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
