GT813B - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

GT813B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GT813B
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
 

 Аналоги (замена) для GT813B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT813B Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... GT8100 , GT8101 , GT8102 , GT8103 , GT810A , GT811 , GT812 , GT813A , TIP42 , GT813V , GT81H , GT81HS , GT82 , GT83 , GT87 , GT88 , GT901A .

History: BCW96B | BU139 | BC490-5 | ZTX213B | 12A02CH | TTA1943

 

 
Back to Top

 


 
.