HEPG0001 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HEPG0001
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO5
Búsqueda de reemplazo de HEPG0001
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HEPG0001 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... HA9532A, HA9532B, HCT2907A, HCT2907M, HDA412, HDA420, HDA496, HEP637, TIP32C, HEPG0002, HEPG0003, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011
History: 2SC1045 | 2SC1046N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549
