HEPG0001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPG0001

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для HEPG0001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPG0001 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HA9532A, HA9532B, HCT2907A, HCT2907M, HDA412, HDA420, HDA496, HEP637, TIP32C, HEPG0002, HEPG0003, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011