HEPS5012 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HEPS5012

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO66

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HEPS5012 datasheet

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