HEPS5012 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HEPS5012
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO66
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