HEPS5012 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5012  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для HEPS5012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5012 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS3055, HEPS3060, HEPS3061, HEPS5000, HEPS5004, HEPS5005, HEPS5006, HEPS5011, 9014, HEPS5013, HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, HEPS5019, HEPS5020, HEPS5021, HEPS5022