Биполярный транзистор HEPS5012 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS5012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам