2N3827 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3827  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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2N3827 datasheet

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2N3827

 9.1. Size:26K  fairchild semi
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2N3827

2N3820 P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 89. TO-92 1 1. Drain 2. Gate 3. Source Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage -20 V VG

 9.2. Size:88K  central
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2N3827

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:77K  secos
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2N3827

2N3828 0.1 A, 40 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES General Purpose Amplifier Transistor TO-92 G H Emitter Base Collector J A D Collector B Millimeter REF. Min. Max. A 4.40 4.70 K B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 E 0

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