2N3827 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3827  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3827

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3827 даташит

 9.1. Size:26K  fairchild semi
2n3820.pdfpdf_icon

2N3827

2N3820 P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. Sourced from process 89. TO-92 1 1. Drain 2. Gate 3. Source Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VDG Drain-Gate Voltage -20 V VG

 9.2. Size:88K  central
2n3821 2n3822 2n3824.pdfpdf_icon

2N3827

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:77K  secos
2n3828.pdfpdf_icon

2N3827

2N3828 0.1 A, 40 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES General Purpose Amplifier Transistor TO-92 G H Emitter Base Collector J A D Collector B Millimeter REF. Min. Max. A 4.40 4.70 K B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 E 0

Другие транзисторы: 2N3816, 2N3816A, 2N3817, 2N3817A, 2N3818, 2N382, 2N3825, 2N3826, 8550, 2N3828, 2N3829, 2N383, 2N3830, 2N3830L, 2N3831, 2N3832, 2N3833