IDB676 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IDB676
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO220
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IDB676 datasheet
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Otros transistores... IDB1023 , IDB1024 , IDB434 , IDB435 , IDB553 , IDB595 , IDB596 , IDB674 , BD140 , IDB677 , IDC2073 , IDC2238 , IDC2238A , IDC2238B , IDC2555 , IDC2562 , IDC2706 .
History: IDB674 | 2N4260 | IDC2073 | KST812M7
History: IDB674 | 2N4260 | IDC2073 | KST812M7
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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