IDB676. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IDB676
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для IDB676
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
IDB676 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: IDB1023, IDB1024, IDB434, IDB435, IDB553, IDB595, IDB596, IDB674, BD140, IDB677, IDC2073, IDC2238, IDC2238A, IDC2238B, IDC2555, IDC2562, IDC2706
History: 2N426
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560