IDB676 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: IDB676
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам