IR4010 Todos los transistores

 

IR4010 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IR4010
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IR4010 Datasheet (PDF)

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IR4010

New ProductSiR401DPVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = - 10 V - 50 100% Rg and UIS Tested- 20 0.0042 at VGS = - 4.5 V - 50 97 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0077 at VGS = -

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History: ISC3242AS1

 

 
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